三星电子加速美国先进制程布局，正式推进德州Taylor晶圆厂一期（Plant 1）的关键设备导入。根据wccftech报道，三星将于今年3月启动EUV设备试运转，Taylor厂一期将作为2纳米GAA制程的核心测试与量产基地，并规划于2026年下半年正式启动量产。
报道指出，Taylor厂一期将负责EUV相关的蚀刻、沉积与制程整合作业，三星也派遣相关人员进驻当地，确保EUV设备运送、安装与调校流程顺利进行。为加快建厂进度，三星目前已在现场动员约7,000名人员，并计划在完工后由一栋六层楼厂房容纳约1,000名员工。
先前三星已与特斯拉签署165亿美元合作协议，未来特斯拉自动驾驶芯片AI5与AI6将于Taylor厂生产。不过，是否同步承接Exynos 2600或其他SoC产品，目前尚未有明确信息。
由于2纳米GAA制程高度依赖EUV设备，三星此举也被视为提升先进制程良率的关键一步。韩媒此前报道，目前三星先进制程良率落在50%左右，而单台EUV设备造价高达5,000亿韩元（约3.39亿美元），投资金额相当可观。尽管三星晶圆代工事业仍面临亏损压力，但公司目标在2027年前达成转盈，EUV导入被视为不可或缺的关键投资。
值得注意的是盈亚配资，根据报道三星已在Taylor厂区预留足够空间，未来最多可扩建至10座晶圆厂。（文章来源：科技新报）
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